История и детали
К
Кафедра КФН основана в июле 1999 г. в целях углубления фундаментального образования и подготовки по передовым направлениям современной науки и техники. В составе кафедры 20 преподавателей, из них 1 член-корреспондент Российской Академии наук, 7 профессоров, докторов физико-математических наук и 6 доцентов, кандидатов физико-математических и технических наук.
Миссия кафедры:
Синтез науки, фундаментального естественно-научного и современного инженерного образования для подготовки специалистов, способных стать лидерами в ключевых областях наноэлектроники.
Кафедра КФН является выпускающей и готовит бакалавров по направлению 210100 62 «Электроника и наноэлектроника» и магистров по направлению: 210100 68 «Электроника и наноэлектроника».
Бакалаврские профили:
- «Нанотехнологии в электронике»
- «Квантовые приборы и наноэлектроника» (new)
Форма обучения очная, период обучения – 4 года.
Магистерские программы:
- «Наногетероструктуры и приборы на их основе»,
- «Зондовая микроскопия и нанотехнология»,
- «Элементная база наноэлектроники» (new).
Форма обучения очная, период обучения – 2 года.
Подготовка осуществляется по следующим научным направлениям:
- Полупроводниковые гетероструктуры и квантовые приборы, в том числе физика квантовых процессов в гетероструктурах, принципы обработки информации в квантовых системах, квантовые вычисления и построение квантовых компьютеров, методы зонной инженерии на базе технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, современные методы оптических и электрофизических измерений и их компьютерной обработки.
- Туннельно-зондовая микроскопия и нанотехнология. на базе современных сканирующих туннельных и атомно-силовых микроскопов, включающее комплексное исследование поверхности подложек из любых материалов, в том числе, элементов нано- и микроэлектроники, формирование нанообъектов на поверхности подложек, а также элементов электроники методами туннельно-зондовой нанотехнологии, исследование биологических объектов, в том числе, клеточных структур, бактерий, вирусов, ДНК.
- Теория твердого тела, в том числе сверхпроводимость и квантовый эффект Холла, электронные фазовые переходы и упорядоченные состояния, современные методы вычислительной физики.
- Электронно-микроскопические методы исследования полупроводников и полупроводниковых гетероструктур.
- Сверхпроводниковая электроника, включая методы получения высокотемпературных сверхпроводников.
- Математическое моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов.
- Сверхбыстродействующие интегральные схемы на основе GaAs, включая разработку и создание сверхбыстродействующих интегральных схем для телекоммуникационных приборов и устройств на основе новых типов транзисторов с высокой подвижностью электронов.
- Акустонаноэлектроника, использующая явления переноса заряда в поле акустической волны в квантоворазмерных гетероструктурах.
- Микрофотоэлектроника – разработка приборов и устройств на основе полупроводниковых наноструктур для приема и передачи оптических сигналов, в том числе инфракрасных систем.
В профессорско-преподавательском состав кафедры КФН привлекаются ведущие сотрудники научно-исследовательских и производственных предприятий, а так же сотрудники институтов Российской Академии наук.
Во время обучения студенты кафедры КФН получают широкий научный и технический кругозор, практические навыки работы на современном научно-исследовательском и экспериментальном оборудовании, в том числе, сканирующих зондовых микроскопах, навыки разработки и проектирования электронных приборов и интегральных схем.
Образовательные цели кафедры:
- Формирование у студентов способности сочетать научный и экспериментальный подход для решения поставленных задач в ходе профессиональной деятельности;
- Подготовка квалифицированных специалистов, способных участвовать в любых видах деятельности, сопровождающих разработку и изготовление электронных приборов на современных производственных и научно-исследовательских предприятиях;
- Подготовка высококвалифицированных кадров в области моделирования, проектирования, производства и исследования нового класса приборов электроники, базирующихся на квантоворазмерных и наноразмерных эффектах, необходимых для разработки и выпуска специализированной электронной компонентной базы;
- Создание благоприятных условий для расширения научного кругозора и эрудиции специалистов, способных ориентироваться в новейших технологиях и передовых научно-технических достижениях в микро- и наноэлектронике. Формирование целеустремленной и любознательной личности талантливого ученого.
Научные направления кафедры КФН предполагают сочетание углубленной физико-математической подготовки с базовым техническим образованием. Студенты и практиканты проходят практику, изучают дисциплины специализаций и готовят выпускные квалификационные и магистерские диссертации на предприятиях: ОАО, НПО «Орион», ЗАО «Нанотехнология - МДТ»; в исследовательских центрах: Отделение твердого тела Физического института РАН, ФГУП «НИИФП им. Ф.В. Лукина», НОЦ ФИАН и МИЭТ «Квантовые приборы и нанотехнологии», НОЦ МИЭТ «Зондовая микроскопия и нанотехнология», ЦФК МИЭТ «Нанотехнологии в электронике» и НОЦ МИЭТ «Нанотехнологии в электронике»; в научно-исследовательских лабораториях МИЭТ: НИЛ сверхпроводниковой электроники, НИЛ электронной микроскопии, НИЛ радиационных методов, технологии и анализа.
Студенты принимают участие в научных исследованиях по перспективным направлениям этих организаций, регулярно выступают с докладами на российских и зарубежных научно-технических конференциях, выставках.
Выпускники кафедры работают в ведущих российских и мировых high-tech компаниях, на инновационных предприятиях, продолжают научную карьеру в университетах, институтах Академии наук России, создают собственные малые наукоемкие фирмы.
Студенты, окончившие кафедру КФН, имеют возможность поступить в аспирантуру МИЭТ.
Специальности аспирантуры для продолжения научной карьеры на кафедре КФН:
- Специальность 01.04.10 «Физика полупроводников»;
- Специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах».
- Период обучения – 4 года.
